4月25日，由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì)“在蘇州隆重召開。頂立科技受邀參會(huì)。

頂立科技憑借材料工藝與熱工裝備高度鍥合的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，攻克了第三代半導(dǎo)體碳化硅、氨化鎵“單晶生長(zhǎng)用原材料和熱場(chǎng)材料的關(guān)鍵制備技術(shù)，研制的高純碳粉、高純石墨、高純碳纖維保溫材料和碳化硅/碳化鉭涂層石墨構(gòu)件等，性能指標(biāo)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，主要應(yīng)用于航空航天、新能源、電子電器、光伏等領(lǐng)域。