近日，頂立科技兩項自主研發(fā)成果通過權(quán)威機構(gòu)評價，均被認定為整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。其中，“天然石墨高溫綠色提純技術(shù)與裝備”通過中國有色金屬工業(yè)協(xié)會科技成果評價，“第三代半導體用高均勻高致密TaC涂層石墨件制備技術(shù)及應用”通過湖南省技術(shù)產(chǎn)權(quán)交易所科技成果評價，標志著公司在先進材料制備領(lǐng)域的創(chuàng)新能力再獲行業(yè)高度認可。

突破行業(yè)瓶頸：天然石墨連續(xù)式高溫提純技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

由頂立科技聯(lián)合五礦石墨、南昌大學、北京工業(yè)大學共同開發(fā)的天然石墨高溫綠色提純技術(shù)與裝備，針對傳統(tǒng)濕法提純工藝污染嚴重、間歇式高溫提純能耗高等行業(yè)痛點，成功研發(fā)出連續(xù)式高溫綠色提純技術(shù)與成套裝備。該項目突破了超長作業(yè)空間3000℃級熱場構(gòu)建與保持、長時連續(xù)提純動態(tài)密封與高效排雜等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了天然石墨高溫提純由間歇式到連續(xù)式的重大突破，在行業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)了4N5以上天然石墨大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn)，為人造金剛石、新一代半導體4N5以上天然石墨穩(wěn)定自主供應提供裝備技術(shù)保障。

連續(xù)式高溫石墨提純爐

打破技術(shù)壟斷：TaC涂層助力半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控

在第三代半導體材料領(lǐng)域，頂立科技聯(lián)合湖南三安半導體、南昌大學開發(fā)的高均勻高致密TaC涂層石墨件制備技術(shù)及應用項目取得重大突破。針對石墨產(chǎn)品傳統(tǒng)TaC涂層工藝中存在的石墨基體純度提升難、高結(jié)合高致密涂層沉積難、高均勻涂層批次穩(wěn)定控制難等技術(shù)難題，通過突破6N以上高純石墨基體提純工藝、高均勻高致密 TaC 涂層制備技術(shù)，形成了涵蓋“工藝-技術(shù)-裝備”的TaC涂層石墨件制備成套技術(shù)，實現(xiàn)了高性能TaC涂層石墨件的批量穩(wěn)定制備，為保障國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈安全、構(gòu)建雙循環(huán)新發(fā)展格局提供了關(guān)鍵支撐。

TaC涂層構(gòu)件

化學氣相沉積爐

頂立科技此次兩項國際領(lǐng)先成果的取得，彰顯了公司在高端材料裝備領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力。未來，頂立科技將繼續(xù)聚焦先進材料制備領(lǐng)域，深化“產(chǎn)學研用”協(xié)同創(chuàng)新機制，為我國半導體、新能源、航空航天等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供更高水平的材料與裝備解決方案，助力實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈自主可控。